Enphase Energy přechází na GaN technologii pro příští generaci mikroinvertorů a baterií
Enphase Energy zveřejnila technickou studii popisující přechod na technologii GaN HEMT BDS (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor Bi-Directional Switch), která má pohánět příští generaci jejích výkonových elektronických produktů. Jde o signál, jakým směrem firma hodlá vyvíjet svůj hardware po dodání přibližně 87,8 milionu mikroinvertorů do více než 165 zemí.
Adopce nové technologie začala s řadou IQ9 Series Microinverters pro komerční i domácí solární instalace. Oproti dosavadnímu řešení dvou back-to-back unidreckčních tranzistorů používá GaN BDS jedinou monoliticky integrovanou strukturu. Výsledkem jsou vyšší spínací frekvence, lepší účinnost, vyšší hustota výkonu a podpora 480 VAC třífázových komerčních aplikací v USA.
Technologie má postupně proniknout do širšího portfolia Enphase Energy: bateriových systémů příští generace, obousměrné nabíječky IQ Bidirectional EV Charger a transformátoru IQ Solid-State Transformer (IQ SST). Právě IQ SST, cílený na infrastrukturu datových center pro AI, využije GaN spínače s podporou 800 VDC a ±400 VDC systémů.
Chief Product Officer Raghu Belur označil GaN BDS za důležitý technologický krok pro firmu. Enphase Energy má aktuálně nasazeno více než 5,2 milionu systémů po celém světě.
